A、100
B、200
C、250
D、300
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A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱、顏色、強度等級、質(zhì)量等級、標準編號
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強度等級、質(zhì)量等級、標準編號
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級、強度等級、標準編號
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級、強度等級、標準編號
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、標準中技術(shù)要求的全部項目
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。