A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
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A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
A、3d
B、7d
C、14d
D、28d
A、10.5
B、10.3
C、5.3
D、5.5
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標準都不對
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
可用作硅片的研磨材料是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()