單項選擇題可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL


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1.單項選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

2.單項選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾

3.單項選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

4.多項選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

A.鈍化晶界
B.鈍化錯位
C.鈍化電活性雜質(zhì)

5.單項選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進入

6.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布

7.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定

9.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

10.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝