A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結;
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對,產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴散,p區(qū)電子向n區(qū)擴散;若p-n結開路,在結的兩邊積累電子—空穴對,產(chǎn)生開路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
改良西門子法的顯著特點不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
可用作硅片的研磨材料是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()