單項選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應引入的氧
D.外界空氣的進入


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1.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

A.氧及其相關缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質
D.材料中的缺陷密度及其分布

2.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質量穩(wěn)定

4.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

5.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

6.單項選擇題下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長

7.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

8.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯

9.單項選擇題簡述光生伏特效應中正確的是（）

A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴散，p區(qū)電子向n區(qū)擴散；若p-n結開路，在結的兩邊積累電子—空穴對，產(chǎn)生開路電壓。

10.單項選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm，則（111）的面間距是多少？（）

A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm