A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應引入的氧
D.外界空氣的進入
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.氧及其相關缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質
D.材料中的缺陷密度及其分布
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質量穩(wěn)定
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
A、6
B、2
C、4
D、5
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結;
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對,產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴散,p區(qū)電子向n區(qū)擴散;若p-n結開路,在結的兩邊積累電子—空穴對,產(chǎn)生開路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污;⑤加入雜質量;
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()