單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾


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1.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

2.多項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)

3.單項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入

4.單項(xiàng)選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過(guò)渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布

5.單項(xiàng)選擇題改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定

8.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

9.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長(zhǎng)—熔化—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
B、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
C、加料—熔化—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—縮頸生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
D、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)

10.單項(xiàng)選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于