A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過(guò)渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
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A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
A、6
B、2
C、4
D、5
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
A、加料—縮頸生長(zhǎng)—熔化—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
B、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
C、加料—熔化—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—縮頸生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
D、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié);
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對(duì),產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來(lái)的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散,p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散;若p-n結(jié)開(kāi)路,在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對(duì),產(chǎn)生開(kāi)路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
在光線(xiàn)作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
可用作硅片的研磨材料是()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()