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單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。

A.線缺陷
B.面缺陷
C.點(diǎn)缺陷
D.體缺陷

1.單項(xiàng)選擇題對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

A.非平衡載流子濃度成正比；
B.平衡載流子濃度成正比；
C.非平衡載流子濃度成反比；
D.平衡載流子濃度成反比。

2.單項(xiàng)選擇題在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對稱性；
D.立方對稱性

3.單項(xiàng)選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)

4.單項(xiàng)選擇題雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大

5.單項(xiàng)選擇題如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心

6.單項(xiàng)選擇題與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等

7.單項(xiàng)選擇題表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性

8.單項(xiàng)選擇題最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei

9.單項(xiàng)選擇題載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散

10.單項(xiàng)選擇題把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。