單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點(diǎn)缺陷
D.體缺陷
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1.單項(xiàng)選擇題對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
A.非平衡載流子濃度成正比;
B.平衡載流子濃度成正比;
C.非平衡載流子濃度成反比;
D.平衡載流子濃度成反比。
2.單項(xiàng)選擇題在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
A.纖鋅礦型;
B.閃鋅礦型;
C.六方對稱性;
D.立方對稱性
3.單項(xiàng)選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
4.單項(xiàng)選擇題雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
A.變大,變小
B.變小,變大
C.變小,變小
D.變大,變大
5.單項(xiàng)選擇題如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
6.單項(xiàng)選擇題與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
7.單項(xiàng)選擇題表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
8.單項(xiàng)選擇題最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
A、EA,
B、ED,
C、EF,
D、Ei
9.單項(xiàng)選擇題載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
10.單項(xiàng)選擇題把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
A.改變禁帶寬度;
B.產(chǎn)生復(fù)合中心;
C.產(chǎn)生空穴陷阱;
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
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