A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
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A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
A.非本征
B.本征
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）