A.非本征
B.本征
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A.1/4;
B.1/e;
C.1/e2;
D.1/2
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
硅片拋光在原理上不可分為()
PN結(jié)的基本特性是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。