A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
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A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
A、3d
B、7d
C、14d
D、28d
A、10.5
B、10.3
C、5.3
D、5.5
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對
A、出廠含水率與吸水率之比
B、含水率與吸水率之比
C、高溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
D、低溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
A、15%
B、18%
C、20%
D、25%
A、4.75mm
B、9.5mm
C、16mm
D、20mm
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。