A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
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A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
A、3d
B、7d
C、14d
D、28d
A、10.5
B、10.3
C、5.3
D、5.5
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對(duì)
A、出廠含水率與吸水率之比
B、含水率與吸水率之比
C、高溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
D、低溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
A、15%
B、18%
C、20%
D、25%
A、4.75mm
B、9.5mm
C、16mm
D、20mm
A、390mm×190mm×190mm
B、240mm×190mm×190mm
C、240mm×190mm×90mm
D、390mm×190mm×90mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚和多孔砌塊
C、普通混凝土小型空心砌塊
D、輕集料混凝土小型空心砌塊
A、15%
B、20%
C、25%
D、30%
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
PN結(jié)的基本特性是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
可用作硅片的研磨材料是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。