A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
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A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
A、3d
B、7d
C、14d
D、28d
A、10.5
B、10.3
C、5.3
D、5.5
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對
A、出廠含水率與吸水率之比
B、含水率與吸水率之比
C、高溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
D、低溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
A、15%
B、18%
C、20%
D、25%
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
PN結(jié)的基本特性是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。