A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項目
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
可用作硅片的研磨材料是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()