A、3
B、5
C、7
D、14
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A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、標準中技術(shù)要求的全部項目
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
A、ACB.A3.5.B05.600×200×250A.GB11968
B、ACB.A3.5600×200×250A.B05.GB11968
C、600×200×250A.B05.GB11968.ACB.A3.5
D、GB11968.ACB.A3.5.600×200×250A.B05
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
A、3d
B、7d
C、14d
D、28d
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()