A、產品名稱、顏色、強度等級、質量等級、標準編號
B、顏色、產品名稱、強度等級、質量等級、標準編號
C、顏色、產品名稱、質量等級、強度等級、標準編號
D、產品名稱、顏色、質量等級、強度等級、標準編號
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A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質量
C、強度等級
D、標準中技術要求的全部項目
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
PN結的基本特性是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
硅片拋光在原理上不可分為()
改良西門子法的顯著特點不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()