A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
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A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、?;郀t礦渣粉
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級(jí)配
C、含泥量
D、表觀密度
A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
A、安定性
B、膠砂強(qiáng)度
C、細(xì)度
D、凝結(jié)時(shí)間
A、1000
B、2000
C、3000
D、5000
A、抽查3~5%
B、每20套抽查1套
C、每10噸錨具抽1套
D、抽查5~10%
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。