A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
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A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級(jí)配
C、含泥量
D、表觀密度
A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
A、安定性
B、膠砂強(qiáng)度
C、細(xì)度
D、凝結(jié)時(shí)間
A、1000
B、2000
C、3000
D、5000
A、抽查3~5%
B、每20套抽查1套
C、每10噸錨具抽1套
D、抽查5~10%
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、85%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
D、80%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()