A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
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A、安定性
B、膠砂強度
C、細度
D、凝結(jié)時間
A、1000
B、2000
C、3000
D、5000
A、抽查3~5%
B、每20套抽查1套
C、每10噸錨具抽1套
D、抽查5~10%
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度
B、90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度
C、85%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度
D、80%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
A、2點
B、3點
C、5點
D、6點
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列是晶體的是()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
可用作硅片的研磨材料是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
PN結(jié)的基本特性是()