A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
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A.線缺陷
B.面缺陷
C.點(diǎn)缺陷
D.體缺陷
A.非平衡載流子濃度成正比；
B.平衡載流子濃度成正比；
C.非平衡載流子濃度成反比；
D.平衡載流子濃度成反比。
A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對(duì)稱性；
D.立方對(duì)稱性
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
PN結(jié)的基本特性是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
下列是晶體的是（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
硅片拋光在原理上不可分為（）