下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）