A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
最新試題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()