A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
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A、80%
B、95%
C、98%
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D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點(diǎn)
D、錨墊板
A、兩個月
B、三個月
C、半年
D、一年
A、60%
B、70%
C、75%
D、80%
A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
A、L
B、S
C、J
D、M
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()