A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點(diǎn)
D、錨墊板
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、兩個(gè)月
B、三個(gè)月
C、半年
D、一年
A、60%
B、70%
C、75%
D、80%
A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
A、L
B、S
C、J
D、M
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度
B、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度的80%
C、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
A、10%,30%,50%,70%
B、20%,40%,60%,80%
C、10%,50%,70%,85%
D、30%,50%,70%,90%
A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
硅片拋光在原理上不可分為()
PN結(jié)的基本特性是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。