A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
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A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
A、3.5~15萬(wàn)
B、15萬(wàn)
C、10萬(wàn)
D、1萬(wàn)
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對(duì)
A、30
B、36
C、40
D、50
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
可用作硅片的研磨材料是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()