單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中，每粉煤灰磚每（）塊為一批，不足該數(shù)量亦按一批計(jì)。

A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬


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1.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中粉煤灰磚各項(xiàng)技術(shù)要求的指標(biāo)的試驗(yàn)按（）的規(guī)定進(jìn)行。

A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對(duì)

7.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中，粉煤灰磚產(chǎn)品標(biāo)記按（）順序編寫。

A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)

8.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中，粉煤灰磚的公稱尺寸為（）。

A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm

9.單項(xiàng)選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中，粉煤灰磚的外形為（）

A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體

最新試題

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項(xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：單項(xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項(xiàng)選擇題