A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
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A、100
B、200
C、250
D、300
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱、顏色、強度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級、強度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級、強度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強度等級
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項目
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
硅片拋光在原理上不可分為()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。