A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
A、100
B、200
C、250
D、300
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項(xiàng)目
A、3.5~15萬(wàn)
B、15萬(wàn)
C、10萬(wàn)
D、1萬(wàn)
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()