單項(xiàng)選擇題HRC硬度標(biāo)識使用的是（）

A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度


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1.單項(xiàng)選擇題140HBW硬度標(biāo)識使用的是（）

A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度

2.單項(xiàng)選擇題一般情況下錨具的硬度要求在哪里可以看到（）

A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表

3.單項(xiàng)選擇題YJM15-7表示的是（）

A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具

5.單項(xiàng)選擇題預(yù)應(yīng)力筋用錨具、夾具和連接器國家標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)號是（）

A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992

最新試題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項(xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

題型：單項(xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

題型：單項(xiàng)選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：單項(xiàng)選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

題型：單項(xiàng)選擇題

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：單項(xiàng)選擇題