A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
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A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
A、3.5~15萬(wàn)
B、15萬(wàn)
C、10萬(wàn)
D、1萬(wàn)
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對(duì)
A、30
B、36
C、40
D、50
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
A、100
B、200
C、250
D、300
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱(chēng)、顏色、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
B、顏色、產(chǎn)品名稱(chēng)、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
C、顏色、產(chǎn)品名稱(chēng)、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
D、產(chǎn)品名稱(chēng)、顏色、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
硅片拋光在原理上不可分為()