A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
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A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對(duì)
A、30
B、36
C、40
D、50
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為（）
可用作硅片的研磨材料是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；