A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
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A、10%,30%,50%,70%
B、20%,40%,60%,80%
C、10%,50%,70%,85%
D、30%,50%,70%,90%
A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書(shū)
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
A、3.5~15萬(wàn)
B、15萬(wàn)
C、10萬(wàn)
D、1萬(wàn)
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()