A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點(diǎn)
D、錨墊板
A、兩個月
B、三個月
C、半年
D、一年
A、60%
B、70%
C、75%
D、80%
A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
A、L
B、S
C、J
D、M
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()