A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
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A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點
D、錨墊板
A、兩個月
B、三個月
C、半年
D、一年
A、60%
B、70%
C、75%
D、80%
A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法