A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
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A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點(diǎn)
D、錨墊板
A、兩個(gè)月
B、三個(gè)月
C、半年
D、一年
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()