A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、85%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
D、80%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。