A、安定性
B、膠砂強(qiáng)度
C、細(xì)度
D、凝結(jié)時間
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A、1000
B、2000
C、3000
D、5000
A、抽查3~5%
B、每20套抽查1套
C、每10噸錨具抽1套
D、抽查5~10%
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、85%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
D、80%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列是晶體的是()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。