A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、粒化高爐礦渣粉
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你可能感興趣的試題
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級(jí)配
C、含泥量
D、表觀密度
A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
A、安定性
B、膠砂強(qiáng)度
C、細(xì)度
D、凝結(jié)時(shí)間
A、1000
B、2000
C、3000
D、5000
A、抽查3~5%
B、每20套抽查1套
C、每10噸錨具抽1套
D、抽查5~10%
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、85%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
D、80%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。