A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
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A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級(jí)配
C、含泥量
D、表觀密度
A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
A、安定性
B、膠砂強(qiáng)度
C、細(xì)度
D、凝結(jié)時(shí)間
A、1000
B、2000
C、3000
D、5000
A、抽查3~5%
B、每20套抽查1套
C、每10噸錨具抽1套
D、抽查5~10%
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、85%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
D、80%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
硅片拋光在原理上不可分為()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()