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問答題試定性分析朔料閃爍體與NaI（T1）所測0.662MeVγ的譜型有什么不同。若 C_發(fā)光＝0.13，而遠型P、M管的光收集效率0.35，D₁的光電子收集效率接近100％，光陰極的量子效率0.22，δ₁=25，δ=6，求NaI（T1）對0.662MeV的能量分辨率。

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1.問答題如果一個NaI（T1）閃爍探測器對¹³⁷Csγ射線（0.662MeV）的能量分辨率是7%，計算它對²²Na的1.28MeVγ射線的能量分辨率。

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2.問答題計算²⁴Na2.76MeVγ射線在NaI（T1）單晶γ譜儀測得的能譜圖上的康普頓邊緣與單光子逃逸峰之間的相對位置。試詳細(xì)解釋γ射線在NaI（T1）閃爍體中產(chǎn)生那些次級過程（一直把γ能量分解到全部成為電子的動能）？

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3.問答題在NaI（T1）中2MeVγ射線相互作用的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)的截面比為1：20：2，入射到NaI（T1）中的2MeVγ射線的脈沖幅度譜給出的峰總比是小于、大于還是近似等于1/23？

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4.問答題NaI（T1）閃爍體的衰變時間（即衰變常數(shù)倒數(shù)）為230ns，忽略光電倍增管引入的任何時間展寬，求閃爍探測器陽極電路時間常數(shù)為10，000和1000ns時的電壓脈沖幅度。

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5.問答題Φ4×0.8mm金硅面壘探測器測α能譜時，當(dāng)E_α＝0時相應(yīng)于零道，對²⁴¹Am的5.486MeV的α粒子譜峰位于116道，如果重離子能量為21.00MeV譜峰被記錄在402道，求脈沖幅度虧損是多少（已知前置放大器的輸入電容為10PF）。

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6.問答題比較比Si材料和用Ge材料做成的探測器由于電子－空穴對的統(tǒng)計漲落對分辨率的影響。如果除了統(tǒng)計漲落外，所有其他因素對譜線寬度的貢獻為5kev，那么對Si和Ge來說，探測多大能量的粒子才會形成20kev的線寬？

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7.問答題絕對峰效率為38％的NaI（T1）閃爍探測器，對⁵⁷Co源的122kevγ射線測量15min光電峰計數(shù)146835個。然后同樣的源置于離表面積為3600mm²的Si（Li）探測器的表面為10㎝記錄60得到一個譜。如果在7.1kev的K_βX射線峰下面的計數(shù)為932個，那么在這個能量時Si（Li）探測器的效率是多少？（對于⁵⁷Co的特征X射線和γ射線的強度比X/γ分別為：對6.40kev的K_α線為0.5727，對7.1kev的K_β線為0.7861。

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8.問答題本征層厚度為3mm的一個380mm²的平面Ge（Li）探測器對距它表面100㎜處0.25MBq的¹³⁷Csγ射線源測量5min所得的全能峰、單逃逸峰、雙逃逸峰下面的計數(shù)（R＝20/1）。

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9.問答題一個Ge（Li）探頭相對于標(biāo)準(zhǔn)Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）閃爍體有8％的光電峰效率。求對于距探測器40㎝處一個3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co點源的1.33MeV全能峰計數(shù)率。

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10.問答題 試就以下條件畫出硅面壘探測器的期望微分脈沖幅度譜：
（a）5MeV入射α粒子，探測器的耗盡深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探測器的耗盡深度為α粒子射程之半。
（c）情況同（a），但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過一塊吸收體，其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。

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