A.是(γ,n)型中子源
B.中子能量連續(xù)分布
C.半衰期不長,一般能連續(xù)使用1個月左右就需要更換
D.中子源的半衰期只有15小時
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A.中子產(chǎn)額2.2×106n/s/Ci
B.是純凈的中子源,不產(chǎn)生其他射線
C.半衰期431年
D.中子能量平均值達到MeV量級
A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線反應產(chǎn)生中子
D.與α射線反應產(chǎn)生中子
A.(β,n)型中子源
B.(α,n)型中子源
C.(γ,n)型中子源
D.自發(fā)裂變中子源
A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子
A.軔致輻射計數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來源其實是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當β射線強度大,能量高,而γ射線強度低時,軔致輻射影響更顯著
A.超出了最大能量,是系統(tǒng)弄錯了,應該把這些計數(shù)去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件,系統(tǒng)把這兩個10keV的計數(shù)合成為了一個20keV的計數(shù)
C.這個峰大部分計數(shù)的來源應該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強度,這個峰的計數(shù)應該會升高
A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比,電子學分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變,源的活度越大則真偶符合比越大
A.偶然符合在低計數(shù)率情況下更常見
B.偶然符合的事件同時發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時到達符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認為屬于偶然符合
A.符合曲線是指延遲關(guān)系變化時,符合計數(shù)率的變化曲線
B.信號的時間離散對符合曲線有影響
C.理想的電子學瞬時符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合,快符合的符合曲線寬度主要由電子學分辨時間決定
最新試題
對于(D,D)反應和(D,T)反應,下列描述正確的是()。
幾何因素對探測器測量活度的影響描述正確的是()。
常見的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
關(guān)于延遲符合,下列描述錯誤的是()。
測量β射線的活度,下列說法錯誤的是()。
對偶然符合描述正確的是()。
軔致輻射對γ能譜的影響,描述錯誤的是()。
下列哪種中子的波長最短?()
測量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個明顯的峰,對于這些計數(shù)的分析正確的是()。
測量活度有相對法與絕對法,下列描述錯誤的是()。