單項(xiàng)選擇題下列對(duì)真偶符合比的描述正確的是()。

A.符合測(cè)量對(duì)真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比,電子學(xué)分辨時(shí)間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變,源的活度越大則真偶符合比越大


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)偶然符合描述正確的是()。

A.偶然符合在低計(jì)數(shù)率情況下更常見
B.偶然符合的事件同時(shí)發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時(shí)到達(dá)符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認(rèn)為屬于偶然符合

2.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是()。

A.符合曲線是指延遲關(guān)系變化時(shí),符合計(jì)數(shù)率的變化曲線
B.信號(hào)的時(shí)間離散對(duì)符合曲線有影響
C.理想的電子學(xué)瞬時(shí)符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合,快符合的符合曲線寬度主要由電子學(xué)分辨時(shí)間決定

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于延遲符合,下列描述錯(cuò)誤的是()。

A.延遲符合改變了相關(guān)事件發(fā)生的物理過程
B.延遲符合的順利實(shí)現(xiàn)需要對(duì)相關(guān)事件的物理過程有深入了解
C.延遲符合功能可以通過電子學(xué)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的
D.相關(guān)事件不同時(shí)時(shí),一般可以考慮利用延遲符合技術(shù)

4.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。

A.反符合電路利用“或”門來實(shí)現(xiàn)
B.反符合中的兩個(gè)事件必須是完全無(wú)關(guān)的
C.反符合的功能可以利用多個(gè)探測(cè)器實(shí)現(xiàn)
D.反符合與符合在電路設(shè)計(jì)、探測(cè)器信號(hào)連接上都完全不同

5.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是()。

A.這兩個(gè)或多個(gè)事件的發(fā)生是完全相關(guān)的
B.符合分辨時(shí)間是為方便電子學(xué)實(shí)現(xiàn)而引入的,真符合的事件必定發(fā)生在同一時(shí)刻
C.真符合中的兩個(gè)事件發(fā)生的時(shí)刻可以是近似同時(shí)
D.符合電路利用“與”門來實(shí)現(xiàn)

6.單項(xiàng)選擇題關(guān)于符合的描述,下列說法正確的是()。

A.符合事件指的是同時(shí)發(fā)生的兩個(gè)或多個(gè)事件
B.同時(shí)發(fā)生的兩個(gè)事件若沒有因果關(guān)系,不能算符合
C.同時(shí)指的是同一時(shí)刻,而不是一個(gè)時(shí)間段內(nèi),所以實(shí)際中的符合非常少見
D.符合可以用在粒子甄別上,但是反符合不行

7.單項(xiàng)選擇題對(duì)于β射線活度測(cè)量的諸多修正的描述錯(cuò)誤的是()。

A.坪斜修正可以降低工作電壓偏高對(duì)結(jié)果的影響
B.高Z材料會(huì)加強(qiáng)反散射效果,所以要用低Z材料做源托
C.β射線在介質(zhì)中的被吸收規(guī)律近似服從指數(shù)規(guī)律
D.β射線穿透力強(qiáng)于α粒子,故而不需要考慮源的自吸收問題

8.單項(xiàng)選擇題測(cè)量β射線的活度,下列說法錯(cuò)誤的是()。

A.不能用小立體角法測(cè)量
B.需要考慮軔致輻射效應(yīng)
C.需要考慮電子散射問題
D.不需要真空的測(cè)量環(huán)境

9.單項(xiàng)選擇題測(cè)量厚樣品α源,下列說法正確的是()。

A.不需要考慮源的自吸收
B.厚樣品在實(shí)際中很少見
C.樣品厚度達(dá)到一定值后,再增大其厚度,測(cè)量的活度基本不變
D.樣品不同位置薄層中的α粒子出射的概率是一樣的

10.單項(xiàng)選擇題小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一,關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是()。

A.探測(cè)腔室一般要抽真空
B.為提高探測(cè)效率,α源要盡可能貼近探測(cè)器
C.源發(fā)射α粒子是各向同性的
D.一般可以作為點(diǎn)源處理