A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線反應(yīng)產(chǎn)生中子
D.與α射線反應(yīng)產(chǎn)生中子
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A.（β，n）型中子源
B.（α，n）型中子源
C.（γ，n）型中子源
D.自發(fā)裂變中子源
A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子
A.軔致輻射計(jì)數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來(lái)源其實(shí)是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當(dāng)β射線強(qiáng)度大，能量高，而γ射線強(qiáng)度低時(shí)，軔致輻射影響更顯著
A.超出了最大能量，是系統(tǒng)弄錯(cuò)了，應(yīng)該把這些計(jì)數(shù)去掉
B.可能同時(shí)發(fā)生了兩個(gè)能量完全沉積的事件，系統(tǒng)把這兩個(gè)10keV的計(jì)數(shù)合成為了一個(gè)20keV的計(jì)數(shù)
C.這個(gè)峰大部分計(jì)數(shù)的來(lái)源應(yīng)該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強(qiáng)度，這個(gè)峰的計(jì)數(shù)應(yīng)該會(huì)升高
A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來(lái)自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
A.符合測(cè)量對(duì)真偶符合比沒(méi)有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學(xué)分辨時(shí)間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大
A.偶然符合在低計(jì)數(shù)率情況下更常見(jiàn)
B.偶然符合的事件同時(shí)發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時(shí)到達(dá)符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認(rèn)為屬于偶然符合
A.符合曲線是指延遲關(guān)系變化時(shí)，符合計(jì)數(shù)率的變化曲線
B.信號(hào)的時(shí)間離散對(duì)符合曲線有影響
C.理想的電子學(xué)瞬時(shí)符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合，快符合的符合曲線寬度主要由電子學(xué)分辨時(shí)間決定
A.延遲符合改變了相關(guān)事件發(fā)生的物理過(guò)程
B.延遲符合的順利實(shí)現(xiàn)需要對(duì)相關(guān)事件的物理過(guò)程有深入了解
C.延遲符合功能可以通過(guò)電子學(xué)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的
D.相關(guān)事件不同時(shí)時(shí)，一般可以考慮利用延遲符合技術(shù)
A.反符合電路利用“或”門(mén)來(lái)實(shí)現(xiàn)
B.反符合中的兩個(gè)事件必須是完全無(wú)關(guān)的
C.反符合的功能可以利用多個(gè)探測(cè)器實(shí)現(xiàn)
D.反符合與符合在電路設(shè)計(jì)、探測(cè)器信號(hào)連接上都完全不同
最新試題
吸收和散射對(duì)探測(cè)器活度測(cè)量也有影響，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是（）。
下列哪種中子的波長(zhǎng)最短？（）
關(guān)于加速器中子源，描述錯(cuò)誤的是（）。
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法？（）
軔致輻射對(duì)γ能譜的影響，描述錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于延遲符合，下列描述錯(cuò)誤的是（）。
對(duì)于（D，D）反應(yīng)和（D，T）反應(yīng)，下列描述正確的是（）。
下列哪項(xiàng)不是中子探測(cè)的特點(diǎn)？（）
幾何因素對(duì)探測(cè)器測(cè)量活度的影響描述正確的是（）。