A.252Cf是常見的自發(fā)裂變中子源
B.不會有γ射線產(chǎn)生
C.中子產(chǎn)額非常低，需要較大體積的源
D.半衰期較長，使用數(shù)年源的性能也不會有明顯降低
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A.是（γ，n）型中子源
B.中子能量連續(xù)分布
C.半衰期不長，一般能連續(xù)使用1個月左右就需要更換
D.中子源的半衰期只有15小時
A.中子產(chǎn)額2.2×106n/s/Ci
B.是純凈的中子源，不產(chǎn)生其他射線
C.半衰期431年
D.中子能量平均值達到MeV量級
A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線反應(yīng)產(chǎn)生中子
D.與α射線反應(yīng)產(chǎn)生中子
A.（β，n）型中子源
B.（α，n）型中子源
C.（γ，n）型中子源
D.自發(fā)裂變中子源
A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子
A.軔致輻射計數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來源其實是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當β射線強度大，能量高，而γ射線強度低時，軔致輻射影響更顯著
A.超出了最大能量，是系統(tǒng)弄錯了，應(yīng)該把這些計數(shù)去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件，系統(tǒng)把這兩個10keV的計數(shù)合成為了一個20keV的計數(shù)
C.這個峰大部分計數(shù)的來源應(yīng)該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強度，這個峰的計數(shù)應(yīng)該會升高
A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學(xué)分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大
A.偶然符合在低計數(shù)率情況下更常見
B.偶然符合的事件同時發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時到達符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認為屬于偶然符合
最新試題
幾何因素對探測器測量活度的影響描述正確的是（）。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是（）。
測量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個明顯的峰，對于這些計數(shù)的分析正確的是（）。
下列對真偶符合比的描述正確的是（）。
下列哪種中子的波長最短？（）
下列對探測器本征探測效率沒有影響的是（）。
小立體角法是測量α源活度的手段之一，關(guān)于此方法的描述錯誤的是（）。
下列哪項不是中子探測的特點？（）
常見的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。
下列關(guān)于符合曲線描述錯誤的是（）。