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問答題Φ4×0.8mm金硅面壘探測器測α能譜時，當E_α＝0時相應(yīng)于零道，對²⁴¹Am的5.486MeV的α粒子譜峰位于116道，如果重離子能量為21.00MeV譜峰被記錄在402道，求脈沖幅度虧損是多少（已知前置放大器的輸入電容為10PF）。

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1.問答題比較比Si材料和用Ge材料做成的探測器由于電子－空穴對的統(tǒng)計漲落對分辨率的影響。如果除了統(tǒng)計漲落外，所有其他因素對譜線寬度的貢獻為5kev，那么對Si和Ge來說，探測多大能量的粒子才會形成20kev的線寬？

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2.問答題絕對峰效率為38％的NaI（T1）閃爍探測器，對⁵⁷Co源的122kevγ射線測量15min光電峰計數(shù)146835個。然后同樣的源置于離表面積為3600mm²的Si（Li）探測器的表面為10㎝記錄60得到一個譜。如果在7.1kev的K_βX射線峰下面的計數(shù)為932個，那么在這個能量時Si（Li）探測器的效率是多少？（對于⁵⁷Co的特征X射線和γ射線的強度比X/γ分別為：對6.40kev的K_α線為0.5727，對7.1kev的K_β線為0.7861。

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3.問答題本征層厚度為3mm的一個380mm²的平面Ge（Li）探測器對距它表面100㎜處0.25MBq的¹³⁷Csγ射線源測量5min所得的全能峰、單逃逸峰、雙逃逸峰下面的計數(shù)（R＝20/1）。

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4.問答題一個Ge（Li）探頭相對于標準Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）閃爍體有8％的光電峰效率。求對于距探測器40㎝處一個3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co點源的1.33MeV全能峰計數(shù)率。

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5.問答題 試就以下條件畫出硅面壘探測器的期望微分脈沖幅度譜：
（a）5MeV入射α粒子，探測器的耗盡深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探測器的耗盡深度為α粒子射程之半。
（c）情況同（a），但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過一塊吸收體，其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。

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6.問答題當α粒子被準直得垂直于金硅面壘探測器的表面時，²⁴¹Am刻度源的主要α射線峰中心位于多道分析器的461道。然后改變幾何條件，使α粒子偏離法線35°角入射，此時，峰位移到449道，試求死層厚度（以α粒子粒子能量損失表示）。

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7.問答題使用一個完全耗盡了的0.1mm厚的硅探測器，若偏壓大到足夠使載流子速度處出飽和，估算電子和空穴的最大收集時間。

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8.問答題死時間分別為30μs和100μs的探測器A和B，若B探測器的死時間漏計數(shù)率是A探測器死時間漏計數(shù)率的兩倍，求應(yīng)測的計數(shù)率是多少？

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9.問答題電容為10PF的沖氬氣的脈沖電離室，前置放大器的噪聲約20MV，輸入電容20PF（忽略分布電容）。若認為信噪比小于5就無法測量了，求該電離室能夠測量的粒子最低能量。

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10.問答題用錮（In）片活化法測量熱中子通量密度，已知銦片s=4㎝²，x_m=100mg/cm²，錮中¹¹⁵In的豐度為95.7%，熱中子活化截面145b。將銦片放在中子場中照射6小時后取出，等待20分鐘開始測量¹¹⁶In的放射性，測量10分鐘測得計數(shù)率為164000cps，求照射的熱中子通量密度。（^116mIn的半衰期為54.1分，¹¹⁶In半衰期為14.1秒）

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