問(wèn)答題
試就以下條件畫出硅面壘探測(cè)器的期望微分脈沖幅度譜:
(a)5MeV入射α粒子,探測(cè)器的耗盡深度大于α粒子的射程。
(b)5MeVα粒子,探測(cè)器的耗盡深度為α粒子射程之半。
(c)情況同(a),但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過(guò)一塊吸收體,其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。
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最新試題
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