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問(wèn)答題 試就以下條件畫出硅面壘探測(cè)器的期望微分脈沖幅度譜：
（a）5MeV入射α粒子，探測(cè)器的耗盡深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探測(cè)器的耗盡深度為α粒子射程之半。
（c）情況同（a），但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過(guò)一塊吸收體，其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。

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1.問(wèn)答題當(dāng)α粒子被準(zhǔn)直得垂直于金硅面壘探測(cè)器的表面時(shí)，²⁴¹Am刻度源的主要α射線峰中心位于多道分析器的461道。然后改變幾何條件，使α粒子偏離法線35°角入射，此時(shí)，峰位移到449道，試求死層厚度（以α粒子粒子能量損失表示）。

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2.問(wèn)答題使用一個(gè)完全耗盡了的0.1mm厚的硅探測(cè)器，若偏壓大到足夠使載流子速度處出飽和，估算電子和空穴的最大收集時(shí)間。

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3.問(wèn)答題死時(shí)間分別為30μs和100μs的探測(cè)器A和B，若B探測(cè)器的死時(shí)間漏計(jì)數(shù)率是A探測(cè)器死時(shí)間漏計(jì)數(shù)率的兩倍，求應(yīng)測(cè)的計(jì)數(shù)率是多少？

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4.問(wèn)答題電容為10PF的沖氬氣的脈沖電離室，前置放大器的噪聲約20MV，輸入電容20PF（忽略分布電容）。若認(rèn)為信噪比小于5就無(wú)法測(cè)量了，求該電離室能夠測(cè)量的粒子最低能量。

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5.問(wèn)答題用錮（In）片活化法測(cè)量熱中子通量密度，已知銦片s=4㎝²，x_m=100mg/cm²，錮中¹¹⁵In的豐度為95.7%，熱中子活化截面145b。將銦片放在中子場(chǎng)中照射6小時(shí)后取出，等待20分鐘開始測(cè)量¹¹⁶In的放射性，測(cè)量10分鐘測(cè)得計(jì)數(shù)率為164000cps，求照射的熱中子通量密度。（^116mIn的半衰期為54.1分，¹¹⁶In半衰期為14.1秒）

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6.問(wèn)答題當(dāng)G-M計(jì)數(shù)管的窗厚加60mg/cm²時(shí)，β的計(jì)數(shù)率減少一半。試求這種放射源發(fā)射的β射線的最大能量是多少？

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7.問(wèn)答題一個(gè)具有比較好的信噪比特性的放大器給定10mV的最小輸入脈沖。如果測(cè)量500keV的X射線，在一個(gè)具有200pF的充Ar正比計(jì)數(shù)管中需要多大的氣體放大因子？

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8.問(wèn)答題極間距離為5cm，具有150pF電容的平行版電離室工作在電子靈敏方式。計(jì)算離陽(yáng)極2cm處形成1000個(gè)離子對(duì)產(chǎn)生的脈沖幅度？

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9.問(wèn)答題活度為π5.55×10⁹Bq的¹⁴Cβ射線源（β射線的平均能量為50keV）置于充Ar的4π電離室內(nèi)，若全部粒子的能量都消耗在電離室內(nèi)，求飽和電流是多少？

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10.問(wèn)答題一個(gè)2MeV的γ光子射在探測(cè)器上，遭受兩次相繼的康普頓散射逃離。若兩次散射的散射角度分別是30°和60°，沉積在探測(cè)器中的反沖電子的總能量是多少？

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