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問(wèn)答題計(jì)算²⁴Na2.76MeVγ射線(xiàn)在NaI（T1）單晶γ譜儀測(cè)得的能譜圖上的康普頓邊緣與單光子逃逸峰之間的相對(duì)位置。試詳細(xì)解釋?duì)蒙渚€(xiàn)在NaI（T1）閃爍體中產(chǎn)生那些次級(jí)過(guò)程（一直把γ能量分解到全部成為電子的動(dòng)能）？

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1.問(wèn)答題在NaI（T1）中2MeVγ射線(xiàn)相互作用的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)的截面比為1：20：2，入射到NaI（T1）中的2MeVγ射線(xiàn)的脈沖幅度譜給出的峰總比是小于、大于還是近似等于1/23？

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2.問(wèn)答題NaI（T1）閃爍體的衰變時(shí)間（即衰變常數(shù)倒數(shù)）為230ns，忽略光電倍增管引入的任何時(shí)間展寬，求閃爍探測(cè)器陽(yáng)極電路時(shí)間常數(shù)為10，000和1000ns時(shí)的電壓脈沖幅度。

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3.問(wèn)答題Φ4×0.8mm金硅面壘探測(cè)器測(cè)α能譜時(shí)，當(dāng)E_α＝0時(shí)相應(yīng)于零道，對(duì)²⁴¹Am的5.486MeV的α粒子譜峰位于116道，如果重離子能量為21.00MeV譜峰被記錄在402道，求脈沖幅度虧損是多少（已知前置放大器的輸入電容為10PF）。

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4.問(wèn)答題比較比Si材料和用Ge材料做成的探測(cè)器由于電子－空穴對(duì)的統(tǒng)計(jì)漲落對(duì)分辨率的影響。如果除了統(tǒng)計(jì)漲落外，所有其他因素對(duì)譜線(xiàn)寬度的貢獻(xiàn)為5kev，那么對(duì)Si和Ge來(lái)說(shuō)，探測(cè)多大能量的粒子才會(huì)形成20kev的線(xiàn)寬？

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5.問(wèn)答題絕對(duì)峰效率為38％的NaI（T1）閃爍探測(cè)器，對(duì)⁵⁷Co源的122kevγ射線(xiàn)測(cè)量15min光電峰計(jì)數(shù)146835個(gè)。然后同樣的源置于離表面積為3600mm²的Si（Li）探測(cè)器的表面為10㎝記錄60得到一個(gè)譜。如果在7.1kev的K_βX射線(xiàn)峰下面的計(jì)數(shù)為932個(gè)，那么在這個(gè)能量時(shí)Si（Li）探測(cè)器的效率是多少？（對(duì)于⁵⁷Co的特征X射線(xiàn)和γ射線(xiàn)的強(qiáng)度比X/γ分別為：對(duì)6.40kev的K_α線(xiàn)為0.5727，對(duì)7.1kev的K_β線(xiàn)為0.7861。

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6.問(wèn)答題本征層厚度為3mm的一個(gè)380mm²的平面Ge（Li）探測(cè)器對(duì)距它表面100㎜處0.25MBq的¹³⁷Csγ射線(xiàn)源測(cè)量5min所得的全能峰、單逃逸峰、雙逃逸峰下面的計(jì)數(shù)（R＝20/1）。

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7.問(wèn)答題一個(gè)Ge（Li）探頭相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）閃爍體有8％的光電峰效率。求對(duì)于距探測(cè)器40㎝處一個(gè)3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co點(diǎn)源的1.33MeV全能峰計(jì)數(shù)率。

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8.問(wèn)答題 試就以下條件畫(huà)出硅面壘探測(cè)器的期望微分脈沖幅度譜：
（a）5MeV入射α粒子，探測(cè)器的耗盡深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探測(cè)器的耗盡深度為α粒子射程之半。
（c）情況同（a），但5MeVα粒子已經(jīng)經(jīng)過(guò)一塊吸收體，其厚度等于該物質(zhì)中α射程的一半。

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9.問(wèn)答題當(dāng)α粒子被準(zhǔn)直得垂直于金硅面壘探測(cè)器的表面時(shí)，²⁴¹Am刻度源的主要α射線(xiàn)峰中心位于多道分析器的461道。然后改變幾何條件，使α粒子偏離法線(xiàn)35°角入射，此時(shí)，峰位移到449道，試求死層厚度（以α粒子粒子能量損失表示）。

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10.問(wèn)答題使用一個(gè)完全耗盡了的0.1mm厚的硅探測(cè)器，若偏壓大到足夠使載流子速度處出飽和，估算電子和空穴的最大收集時(shí)間。

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