多項選擇題以下（）環(huán)境條件不是露天結(jié)構(gòu)或構(gòu)件的砼試件的同條件養(yǎng)護環(huán)境。

A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下


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1.多項選擇題以下（）環(huán)境條件是砼試件標準養(yǎng)護條件。

A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動的Ca（OH）2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中

2.多項選擇題以下（）操作描述是區(qū)別于搗棒人工搗實法的插入式振搗棒振實砼試件的典型步驟。

A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周，以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢，拔出后不得留有孔洞

3.多項選擇題以下（）操作描述是區(qū)別于振動臺等機械振實法的搗棒人工搗實砼試件的典型步驟。

A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周，以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次

4.多項選擇題以下（）稠度的砼試件宜采用振動振實。

A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm

5.多項選擇題以下（）稠度的砼試件宜采用搗棒人工搗實。

A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm

6.多項選擇題試驗室拌制砼拌合物時，稱量精度為±0.5%的砼拌合材料有（）。

A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水

7.多項選擇題可以進行自校驗的砼力學(xué)性能試驗儀器設(shè)備有（）。

A、壓力試驗機
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀

8.多項選擇題應(yīng)有周期計量檢定證書的砼力學(xué)性能試驗儀器設(shè)備包括有（）。

A、壓力試驗機
B、砼振動臺
C、微變形測量儀
D、砼坍落度儀

9.多項選擇題砼力學(xué)性能試驗的儀器設(shè)備包括有（）。

A、壓力試驗機
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺

10.多項選擇題砼力學(xué)性能試件的尺寸構(gòu)造有公差要求的包括有（）。

A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度

最新試題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：單項選擇題

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型：單項選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：單項選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：單項選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：單項選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

題型：單項選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

題型：單項選擇題