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C、石子
D、水
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B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質量
D、試件相鄰面的垂直度
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最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()