A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
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最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
可用作硅片的研磨材料是()