A、150×150×150mm立方體
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C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm立方體
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A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強度
B、抗折強度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗方法
C、統(tǒng)一砼力學性能試驗方法
D、提高砼試驗精度和試驗水平
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細骨料修正系數(0.16mm以下粉料修正)測定
A、孔徑為5mm和0.16mm的標準篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強度等級高的
D、特細砂配制的
最新試題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數,它與()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。